SK 海力士打破 HBM 堆叠层数约束，MR-MUF 和混合键合封装两手抓

SK海力士正在开发16层的HBM4内存，这种内存将供给最大容量为48GB，数据处理速度超越每秒1.65TB。该公司和台积电正在合作开发HBM4，方案于2025年量产。为了进步功能和能效，海力士将在HBM4的根底芯片上使用逻辑工艺。

海力士的先进MR-MUF技能具有30%以上的功能优势，该技能能够完成低粘合压力和温度使用以及批量热处理。现在，该公司正在使用MR-MUF技能批量生产8层和12层的产品，而且这些产品都使用了相同的技能。此外，海力士还在为之后的第七代HBM4E做准备。

SK海力士封装研制副社长李康旭在“2024年异构集成全球峰会”上宣布演讲时强调了异构集成技能（封装不同工艺的半导体芯片）重要性日益凸显，并表明经过合理使用该技能，海力士将进一步进步第6代HBM4产品（方案下一年产值）的功能。